Infineon IGBT, Ic 30 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-220, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 258-0986
- 制造商零件编号:
- IGP30N65F5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB12.559 | RMB627.95 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0986
- 制造商零件编号:
- IGP30N65F5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 30A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 长度 | 29.95mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 系列 | High Speed Fifth Generation | |
| 宽度 | 10.36 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 30A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.57mm | ||
长度 29.95mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
系列 High Speed Fifth Generation | ||
宽度 10.36 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon TRENCHSTOP 5 IGBT 技术通过为硬切换应用提供无与伦比的效率性能,重新定义了同类最佳的 IGBT。新系列是 IGBT 创新领域的重大突破,可满足未来市场的高效需求。
650V 突破电压
与 Infineon 的同类最佳高速 3 系列相比
可在不影响可靠性的情况下增加总线电压 50V
更高的功率密度设计
