Infineon IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, TO-220, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 258-0989P
- 制造商零件编号:
- IGP40N65F5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB19.115 |
| 20 - 28 | RMB18.025 |
| 30 - 38 | RMB15.65 |
| 40 + | RMB14.87 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0989P
- 制造商零件编号:
- IGP40N65F5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 40A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.6V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 ±30 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 长度 | 29.95mm | |
| 系列 | High Speed Fifth Generation | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 40A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 ±30 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.57mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
长度 29.95mm | ||
系列 High Speed Fifth Generation | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 硬切换 650 V、40 A TRENCHSTOP 5 IGBT 分立,采用 TO-247 封装,满足高效率要求。同类最佳效率,从而降低接点和外壳温度,从而提高器件可靠性。
00mV 降低 V CE(sat)
低 C OES/E OSS
轻度正温度系数 V CE(sat)
V f 的温度稳定性
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