Infineon IGBT, VCEO 650 V, PG-TO247-3

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包装方式:
RS 库存编号:
258-1011P
制造商零件编号:
IKW20N65ET7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20V

封装类型

PG-TO247-3

Infineon 硬切换 650 V、20 A TRENCHSTOP IGBT7 分立,采用 TO-247 封装,内部带软质 EC7 二极管。此价格性能优化系列具有优质的可控性,可实现更好的 EMI,同时切换损耗低于之前的技术。

非常低的 VCEsat
低关闭损耗
短尾线电流
减少 EMI

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。