可享批量折扣
小计（1 卷，共 1000 件）*
¥19,032.00
(不含税)
¥21,506.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月11日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | RMB19.032 | RMB19,032.00 |
| 2000 - 2000 | RMB18.652 | RMB18,652.00 |
| 3000 + | RMB18.279 | RMB18,279.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3756
- 制造商零件编号:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 封装类型 | PG-TO263-7 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
封装类型 PG-TO263-7 | ||
Infineon CoolSiC1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 采用 D2PAK-7L 封装,基于最先进的槽式半导体工艺,经优化可将性能与操作可靠性结合在一起。CoolSiC 技术的低功耗与 XT 互连技术结合在新型 1200 V 优化 SMD 封装中,可在驱动器、充电器和工业电源等应用中实现卓越的效率和无源冷却潜力。
非常低的切换损耗
短路耐受时间,3 μs
完全可控制的 dV/dt
提高效率
启用更高频率
增强的功率密度
短路耐受时间,3 μs
完全可控制的 dV/dt
提高效率
启用更高频率
增强的功率密度