Infineon IGBT, Ic 15 A, VCEO 650 V, TO-263
- RS 库存编号:
- 258-0982
- 制造商零件编号:
- IGB15N65S5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | RMB5.581 | RMB5,581.00 |
| 2000 - 2000 | RMB5.469 | RMB5,469.00 |
| 3000 + | RMB5.36 | RMB5,360.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0982
- 制造商零件编号:
- IGB15N65S5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 15A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 105W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.35V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 ±30 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | High Speed Fifth Generation | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 15A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 105W | ||
包装类型 TO-263 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.35V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 ±30 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 High Speed Fifth Generation | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 650 V、15 A 高速切换 TRENCHSTOP 5 in D2Pak 封装单 IGBT,用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用,以提供高效率、更快的上市周期、减少电路设计复杂性和优化印刷电路板材料成本。
无需门夹组件
门驱动器,带 Miller 夹,无需
需要减少 EMI 过滤
特别适用于并行