Infineon IGBT晶体管模块, 3个, Ic 90 A, VCEO 600 V, PG-TO220-3
- RS Stock No.:
- 259-1525P
- Mfr. Part No.:
- IGP50N60TXKSA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB25.38 |
| 20 - 24 | RMB24.87 |
| 26 - 98 | RMB24.265 |
| 100 + | RMB21.595 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1525P
- Mfr. Part No.:
- IGP50N60TXKSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 90 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 3 | |
| 最大功率耗散 | 333 W | |
| 封装类型 | PG-TO220-3 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 90 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 3 | ||
最大功率耗散 333 W | ||
封装类型 PG-TO220-3 | ||
由于 Vcesat 中的正温度系数,Infineon 低损耗 IGBT 具有轻松并行切换能力。它具有高坚固性、温度稳定性。它是一种非常柔软、快速恢复的抗平行发射器控制二极管。
最大接点温度 175°C
短路耐受时间 5 微秒
低 EMI
低门充电
非常紧密的参数分布
短路耐受时间 5 微秒
低 EMI
低门充电
非常紧密的参数分布