Infineon N型沟道 IGBT, Ic 18 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-220, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 273-2972
- 制造商零件编号:
- IKP08N65H5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计(1 包,共 2 件)*
RMB33.11
(不含税)
RMB37.414
(含税)
有库存
- 342 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB16.555 | RMB33.11 |
| 10 - 18 | RMB15.035 | RMB30.07 |
| 20 - 98 | RMB14.745 | RMB29.49 |
| 100 - 248 | RMB12.01 | RMB24.02 |
| 250 + | RMB11.925 | RMB23.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2972
- 制造商零件编号:
- IKP08N65H5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 18A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 70W | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, RoHS | |
| 长度 | 15.95mm | |
| 系列 | TrenchStop | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 18A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 70W | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC, RoHS | ||
长度 15.95mm | ||
系列 TrenchStop | ||
高度 4.57mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 采用 TO-220 封装,带快速软 RAPID 1 防并行二极管进行压缩。
650 V 突破电压
轻微正温度系数
更高的功率密度设计
相关链接
- Infineon IGBT 单晶体管 IC, Ic 28 A, VCEO 650 V, TO-220
- Infineon igbt模块, Ic 30 A, VCEO 650 V, TO-220
- Infineon , IKP28N65ES5XKSA1 IGBT 单晶体管 IC, Ic 28 A, VCEO 650 V, TO-220
- Infineon , IKP15N65H5XKSA1 igbt模块, Ic 30 A, VCEO 650 V, TO-220
- Infineon IGBT, Ic 55 A, VCEO 650 V, 3引脚, 188, 通孔安装
- Infineon N型沟道 IGBT, Ic 30 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-220, 通孔安装
- Infineon N型沟道 IGBT, Ic 62 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-220, 通孔安装
- Infineon N型沟道 IGBT, Ic 74 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-220, 通孔安装
