Infineon IGBT模块, Ic 650 A, VCEO 150 V, 模块, 面板安装
- RS 库存编号:
- 273-7365
- 制造商零件编号:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB442.53 |
| 5 - 9 | RMB433.69 |
| 10 - 99 | RMB425.00 |
| 100 - 249 | RMB416.50 |
| 250 + | RMB408.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7365
- 制造商零件编号:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 650 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 150 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 最大功率耗散 | 335 W | |
| 封装类型 | 模块 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 650 A | ||
最大集电极-发射极电压 150 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
最大功率耗散 335 W | ||
封装类型 模块 | ||
安装类型 面板 | ||
这种 IGBT 模块有 650 V VCES、150 A 连续直流集电极电流 3 级相脚，相脚 IGBT 模块有 TRENCHSTOP IGBT3、发射极控制 3 二极管、NTC 并采用了压接技术。该 IGBT 模块将阻断电压能力提高至 650V，并提供低热阻的 Al2O3 基板。
低 VCEsat
紧凑型设计
安装坚固
低电感设计
低开关损耗
紧凑型设计
安装坚固
低电感设计
低开关损耗