Infineon IGBT模块, Ic 107 A, VCEO 1200 V, 模块, 面板安装
- RS 库存编号:
- 273-7411
- 制造商零件编号:
- FS75R12W2T4BOMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 100 - 249 | RMB335.74 |
| 250 + | RMB329.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7411
- 制造商零件编号:
- FS75R12W2T4BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 107 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 最大功率耗散 | 375 W | |
| 封装类型 | 模块 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 107 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
最大功率耗散 375 W | ||
封装类型 模块 | ||
安装类型 面板 | ||
这种 Infineon IGBT 模块通过集成的安装夹具实现了坚固耐用的安装。该 IGBT 模块采用具有正温度系数的 VCEsat 和具有低热阻的 Al2O3 基板。它适用于伺服驱动、UPS 系统、空调和电机驱动应用。
低 VCEsat
沟槽 IGBT 4
紧凑型设计
低开关损耗
焊接技术
沟槽 IGBT 4
紧凑型设计
低开关损耗
焊接技术