Infineon IGBT模块, Ic 200 A, VCEO 1200 V, 模块, 面板安装

Bulk discount available

Subtotal (1 tray of 6 units)*

¥6,854.838

(exc. VAT)

¥7,745.964

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
有库存
  • 6 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Units
Per unit
Per Tray*
6 - 6RMB1,142.473RMB6,854.84
12 +RMB1,119.623RMB6,717.74

*price indicative

RS Stock No.:
273-7404
Mfr. Part No.:
FS150R12PT4BOSA1
Brand:
Infineon
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

品牌

Infineon

最大连续集电极电流

200 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

+/-20V

最大功率耗散

680 W

封装类型

模块

安装类型

面板

这种 Infineon IGBT 模块有正温度系数的 VCEsat。该 GBT 模块的集电极发射极电压为 1200V,集电极连续直流电流为 150A。该 IGBT 模块用于高功率转换器、电机驱动器和 UPS 系统应用。

低 VCEsat
标准外壳
绝缘基板
开关损耗低

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。