Infineon IGBT模块, Ic 200 A, VCEO 1200 V, 模块, 面板安装
- RS 库存编号:
- 273-7405
- 制造商零件编号:
- FS150R12PT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 100 - 249 | RMB1,215.74 |
| 250 + | RMB1,191.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7405
- 制造商零件编号:
- FS150R12PT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 200 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 最大功率耗散 | 680 W | |
| 封装类型 | 模块 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 200 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
最大功率耗散 680 W | ||
封装类型 模块 | ||
安装类型 面板 | ||
这种 Infineon IGBT 模块有正温度系数的 VCEsat。该 GBT 模块的集电极发射极电压为 1200V，集电极连续直流电流为 150A。该 IGBT 模块用于高功率转换器、电机驱动器和 UPS 系统应用。
低 VCEsat
标准外壳
绝缘基板
开关损耗低
标准外壳
绝缘基板
开关损耗低