Semikron Danfoss N型沟道, SKM200GB125D igbt模块, 2个, Ic 200 A, VCEO 1200 V, 3引脚, SEMITRANS, 面板安装
- RS 库存编号:
- 468-2454
- 制造商零件编号:
- SKM200GB125D
- 制造商:
- Semikron Danfoss
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥2,838.50
(不含税)
¥3,207.50
(含税)
最后的 RS 库存
- 66 件将从其他地点发货
- 另外 5 件将从其他地点发货
- 最后 1 件在 2026年4月09日 发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB2,838.50 |
| 2 - 4 | RMB2,781.72 |
| 5 - 9 | RMB2,726.09 |
| 10 - 19 | RMB2,671.57 |
| 20 + | RMB2,618.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 468-2454
- 制造商零件编号:
- SKM200GB125D
- 制造商:
- Semikron Danfoss
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semikron Danfoss | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 200A | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 包装类型 | SEMITRANS | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 3.85V | |
| 最高工作温度 | -40°C | |
| 系列 | SKM200GB125D | |
| 长度 | 106.4mm | |
| 高度 | 30.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semikron Danfoss | ||
最大连续集电极电流 Ic 200A | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 2 | ||
包装类型 SEMITRANS | ||
安装类型 面板 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 150°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 3.85V | ||
最高工作温度 -40°C | ||
系列 SKM200GB125D | ||
长度 106.4mm | ||
高度 30.5mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
双 IGBT 模块
Semikron SEMITOP® IGBT 模块包含两个串联（半桥）IGBT 设备。该模块提供各种电压和电流额定值，且适用于各种功率切换应用，如交流变频电动机驱动器和不间断电源。
紧凑型 SEMITOP® 封装
适用于高达 12kHz 的切换频率
绝缘铜基板使用直接粘结技术
IGBT 模块，Semikron
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。