STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 600 V, TO-247, H系列

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包装方式：
RS 库存编号:
792-5791
制造商零件编号:
STGW40H60DLFB
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流 Ic

40A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

最大功耗 Pd

283W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N

引脚数目

3

最低工作温度

-55°C

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2V

最高工作温度

175°C

高度

20.15mm

长度

15.75mm

标准/认证

RoHS

宽度

5.15mm

系列

H

汽车标准

否

IGBT 分立，STMicroelectronics


IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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