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Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 50 A, VCEO 1200 V, TO-247, TrenchStop系列

Name: Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 50 A, VCEO 1200 V, TO-247, TrenchStop系列
Brand: Infineon
SKU: 897-7403
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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	50A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	最大功耗 Pd	349W
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最低工作温度	-40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.2V
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最高工作温度	175°C
	系列	TrenchStop
	标准/认证	RoHS, JEDEC1, Pb-free lead plating
	额定能量	4.3mJ
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 50A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	最大功耗 Pd 349W
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最低工作温度 -40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.2V
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最高工作温度 175°C
	系列 TrenchStop
	标准/认证 RoHS, JEDEC1, Pb-free lead plating
	额定能量 4.3mJ
	汽车标准否

Infineon 推出的一系列 IGBT 晶体管，采用 TrenchStop™ 技术，集电极/发射极额定电压为 1100V 至 1600V。该系列包含集成了高速、快速恢复反并联二极管的器件。

• 集电极/发射极电压范围 1100V 至 1600V

• 非常低的 VCEsat

• 低关断损耗

• 短拖尾电流

• 低 EMI

• 最高结温：175°C

绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是一种三端子功率半导体器件，以高效率和快速开关特性著称。IGBT 在单个器件中，将用于控制输入的隔离栅 FET 和用作开关的双极型功率晶体管相结合，从而兼具 MOSFET 的简单栅极驱动特性以及双极型晶体管的高电流、低饱和电压能力。

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