STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 120 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS Stock No.:
- 920-6320
- Mfr. Part No.:
- STGW80V60DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Bulk discount available
Subtotal (1 tube of 30 units)*
¥1,270.29
(exc. VAT)
¥1,435.44
(inc. VAT)
有库存
- 另外 390 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB42.343 | RMB1,270.29 |
| 150 + | RMB41.496 | RMB1,244.88 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 920-6320
- Mfr. Part No.:
- STGW80V60DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 120 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 469 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 120 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 469 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
IGBT 分立，STMicroelectronics
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。