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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	逻辑功能	缓冲器，反相器
	输入类型	CMOS
	每片芯片元件数目	6
	最长传播延迟时间@最长CL	120ns
	最大高电平输出电流	-4.7mA
	最大低电平输出电流	30mA
	安装类型	贴片
	封装类型	SOIC
	引脚数目	16
	尺寸	10 x 4 x 1.5mm
	最大工作电源电压	18 V
	高度	1.5mm
	长度	10mm
	汽车标准	AEC-Q100
	传输延迟测试条件	50pF
	最小工作电源电压	3 V
	最低工作温度	-55 °C
	宽度	4mm
	最高工作温度	+125 °C

	选择全部
	品牌 onsemi
	逻辑功能缓冲器，反相器
	输入类型 CMOS
	每片芯片元件数目 6
	最长传播延迟时间@最长CL 120ns
	最大高电平输出电流 -4.7mA
	最大低电平输出电流 30mA
	安装类型贴片
	封装类型 SOIC
	引脚数目 16
	尺寸 10 x 4 x 1.5mm
	最大工作电源电压 18 V
	高度 1.5mm
	长度 10mm
	汽车标准 AEC-Q100
	传输延迟测试条件 50pF
	最小工作电源电压 3 V
	最低工作温度 -55 °C
	宽度 4mm
	最高工作温度 +125 °C

Datasheet MC14049UBDG

COO (Country of Origin):: CN

MC14049UB 六角反相器缓冲器采用单片结构中的 MOS P 通道和 N 通道增强模式设备构建。此互补 MOS 设备可在需要低功耗和高噪声抗扰性的情况下找到主要用途。此设备仅使用一个电源电压 VDD 提供逻辑电平转换。输入信号高电平 VIH 可超过逻辑电平转换的 VDD 电源电压。当设备用作 CMOS 至 TTL DTL 转换器 VDD = 5.0 V 、 VOL 0.4 V IOL 3.2 mA 时、可驱动两个 TTL DTL 负载。请注意、针脚 13 和 16 未在此设备上内部连接、因此连接到这些端子不会影响电路操作。

高源电流和吸收电流
从高到低电平转换器
电源电压范围 = 3.0 V 至 18 V
VIN 可能超过 VDD
改进了所有输入的 ESD 保护
提供无铅封装

单位	每单位	Per Tube*
48 - 432	RMB1.899	RMB91.15
480 - 912	RMB1.824	RMB87.55
960 +	RMB1.747	RMB83.86

onsemi 缓冲器，反相器, 6元件, 低电平30mA, 高电平-4.7mA, 16p, SOIC, 贴片安装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。