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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB2.803 | RMB28.03 |
| 20 - 90 | RMB2.746 | RMB27.46 |
| 100 - 240 | RMB2.69 | RMB26.90 |
| 250 - 490 | RMB2.642 | RMB26.42 |
| 500 + | RMB2.585 | RMB25.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-6282
- 制造商零件编号:
- HCF40106YM013TR
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 逻辑功能 | 反相器 | |
| 输入类型 | 施密特触发器 | |
| 施密特触发器输入 | 是 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
逻辑功能 反相器 | ||
输入类型 施密特触发器 | ||
施密特触发器输入 是 | ||
STMicroelectronics 六路施密特触发器是单片集成电路，采用金属氧化物半导体技术制成，采用 SO-14 封装。它包含六个施密特触发器电路。
施密特触发器动作，无外部组件
滞后电压通常为 - VDD = 5 V 时 0.9 V ， VDD = 10 V 时 2.3 V ， VDD = 15 V 时 3.5 V
抗噪性大于 50%
输入上升和下降时间无限制
在慢速输入斜坡期间， VDD 至 VSS 电流低
标准化对称输出特性
指定静态电流高达 20 V
5 V、10 V 和 15 V 参数额定值
VDD = 18 V 和 TA = 25 ° C 时，最大输入泄漏电流 II = 100 nA
滞后电压通常为 - VDD = 5 V 时 0.9 V ， VDD = 10 V 时 2.3 V ， VDD = 15 V 时 3.5 V
抗噪性大于 50%
输入上升和下降时间无限制
在慢速输入斜坡期间， VDD 至 VSS 电流低
标准化对称输出特性
指定静态电流高达 20 V
5 V、10 V 和 15 V 参数额定值
VDD = 18 V 和 TA = 25 ° C 时，最大输入泄漏电流 II = 100 nA