STMicroelectronics 单片机开发板, 24 bit MCU内核, 2-Channel High-Side Driver
- RS 库存编号:
- 428-626
- 制造商零件编号:
- EV-VNF9D5F
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 件）*
¥528.44
(不含税)
¥597.14
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB528.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 428-626
- 制造商零件编号:
- EV-VNF9D5F
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 分类 | 开发板 | |
| 套件名称 | 2-Channel High-Side Driver | |
| 技术 | 24 位 | |
| 装置核芯 | 24 bit MCU | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
分类 开发板 | ||
套件名称 2-Channel High-Side Driver | ||
技术 24 位 | ||
装置核芯 24 bit MCU | ||
- COO (Country of Origin):
- IT
意法半导体的 2 通道高压侧驱动器具有 STi²Fuse 保护功能，适用于汽车配电应用。该器件采用意法半导体 VIPower 技术制造。它用于驱动直接接地的电阻或电感负载。该设备受到保护，以防止 VCC 引脚出现瞬态电压。可通过 SPI 总线实现编程、控制和诊断。集成的 10 位 ADC 为每个通道提供数字电流检测反馈。
极低待机电流
优化电磁辐射
极低的电磁感应强度
低电压关闭
过电压夹
负载转储受保护
防止失去地面
优化电磁辐射
极低的电磁感应强度
低电压关闭
过电压夹
负载转储受保护
防止失去地面