STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800V, 2.5A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 151-433
- 制造商零件编号:
- STF3NK80Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 包，共 10 件）*
¥198.97
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 + | RMB19.897 | RMB198.97 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-433
- 制造商零件编号:
- STF3NK80Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5A | |
| 最大漏源电压 | 800V | |
| 系列 | SuperMESH | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.5A | ||
最大漏源电压 800V | ||
系列 SuperMESH | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 采用超级 MESH 技术开发，通过优化成熟的功率 MESH 布局实现。除了大大降低导通电阻外，该设备的设计还确保了高水平的 dv/dt 能力，可满足最苛刻的应用要求。
100% 经过雪崩测试
栅极电荷最小化
本征电容极低
齐纳保护
栅极电荷最小化
本征电容极低
齐纳保护