STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1700 V, 4 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, STGAP2系列
- RS 库存编号:
- 152-180
- 制造商零件编号:
- STGAP2SICSNC
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB35.568 | RMB177.84 |
| 50 - 95 | RMB33.804 | RMB169.02 |
| 100 - 495 | RMB31.282 | RMB156.41 |
| 500 - 995 | RMB28.80 | RMB144.00 |
| 1000 + | RMB27.748 | RMB138.74 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 152-180
- 制造商零件编号:
- STGAP2SICSNC
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1700V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | STGAP2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1GΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 1700V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 STGAP2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1GΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最高工作温度 125°C | ||
高度 1.75mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
STMicroelectronics 单门驱动器可在门驱动通道和低电压控制和接口电路之间提供电磁隔离。该栅极驱动器具有 4 A 能力和轨至轨输出，因此也适用于中高功率应用，如工业应用中的功率转换和电机驱动逆变器。
独立的灌电流和源电流选件，方便栅极驱动配置
4 A Miller CLAMP 专用引脚选件
UVLO 功能
栅极驱动电压高达 26 V