制造商编号

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=0.9 A, 8针, SO-8, ZXMS6008DN8系列

RS 库存编号:: 216-351
制造商零件编号:: ZXMS6008N8-13
制造商:: DiodesZetex

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=0.9 A, 8针, SO-8, ZXMS6008DN8系列

小计（1 卷，共 2500 件）*

RMB6,847.50

(不含税)

RMB7,737.50

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单位	每单位	每卷*
2500 +	RMB2.739	RMB6,847.50

* 参考价格

RS 库存编号:: 216-351
制造商零件编号:: ZXMS6008N8-13
制造商:: DiodesZetex

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	DiodesZetex
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	0.9A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	ZXMS6008DN8
	包装类型	SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	700mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	1.98W
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 DiodesZetex
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 0.9A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 ZXMS6008DN8
	包装类型 SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 700mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 1.98W
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - ZXMS6008N8-13

COO (Country of Origin):: CN

DiodesZetex MOSFET 是一种具有逻辑电平输入的自我保护低端 IntelliFET® MOSFET。它集成了过温、过流、过压和 ESD 保护逻辑电平功能。它是由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关的理想选择，适用于标准 MOSFET 强度不够的恶劣环境。

紧凑型高功率耗散封装

低输入电流

短路保护，自动重启

过电压保护

热关机，自动重启

输入 ESD 保护

高额定连续电流

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=0.9 A, 8针, SO-8, ZXMS6008DN8系列

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