Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 100 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN4R5-80YSFX, PSM系列

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219-271
制造商零件编号:
PSMN4R5-80YSFX
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

PSM

包装类型

LFPAK

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

4.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

238W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

90nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 的合格温度为 175°C。它是工业和消费应用的理想选择。它适用于交流-直流和直流-直流转换器中的同步整流、48V 直流-直流系统中的初级侧开关、直流无刷电机控制、USB-PD 和移动快速充电适配器,以及反激式和谐振拓扑结构。

强大的雪崩能量等级

雪崩等级和 100% 测试

无有害物质,符合 RoHS 标准