Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=24 A, 8针, MLPAK, PXN系列
- RS 库存编号:
- 219-415
- 制造商零件编号:
- PXN028-100QLJ
- 制造商:
- Nexperia
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- RS 库存编号:
- 219-415
- 制造商零件编号:
- PXN028-100QLJ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | PXN | |
| 包装类型 | MLPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 28mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 30W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 PXN | ||
包装类型 MLPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 28mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 30W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 3.3mm | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 MLPAK33 封装。它专为各种标准应用而设计。主要用途包括二次侧同步整流、直流-直流转换器、家用电器、电机驱动、负载开关和 LED 照明。
逻辑电平兼容性
沟槽 MOSFET 技术
热效率高的小型封装
相关链接
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 24 A, MLPAK, 表面安装, 8引脚, PXN028-100QLJ, PXN系列
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- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 14 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN5R4-30QLJ
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