Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 330 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, MOSFETs系列
- RS 库存编号:
- 219-464P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R2-55SLHAX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB36.13 |
| 100 - 499 | RMB33.25 |
| 500 - 999 | RMB30.95 |
| 1000 + | RMB30.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-464P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R2-55SLHAX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 330A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 系列 | MOSFETs | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.03mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 180nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 8 mm | |
| 长度 | 8mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 330A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 LFPAK | ||
系列 MOSFETs | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.03mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 8 mm | ||
长度 8mm | ||
高度 1.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 NextPowerS3 产品组合，采用恩智浦独特的 SchottkyPlus 技术，具有与集成肖特基二极管或肖特基类二极管的 MOSFET 相似的高效率、低尖峰性能，但不会产生高漏电流问题。NextPowerS3 尤其适用于高开关频率下的高效应用。
雪崩等级和 100% 测试
通过软体二极管恢复实现超快开关，降低尖峰和振铃
窄 VGS（th）额定值，便于并联和改进电流共享