制造商编号

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 330 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN1R2-55SLHAX, MOSFETs系列

RS 库存编号:: 219-464P
制造商零件编号:: PSMN1R2-55SLHAX
制造商:: Nexperia

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 330 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN1R2-55SLHAX, MOSFETs系列

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RS 库存编号:: 219-464P
制造商零件编号:: PSMN1R2-55SLHAX
制造商:: Nexperia

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Nexperia
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	330A
	最大漏源电压 Vd	55V
	包装类型	LFPAK
	系列	MOSFETs
	安装类型	表面
	引脚数目	5
	最大漏源电阻 Rd	1.03mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	180nC
	最大功耗 Pd	375W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	高度	1.6mm
	长度	8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Nexperia
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 330A
	最大漏源电压 Vd 55V
	包装类型 LFPAK
	系列 MOSFETs
	安装类型表面
	引脚数目 5
	最大漏源电阻 Rd 1.03mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180nC
	最大功耗 Pd 375W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	高度 1.6mm
	长度 8mm
	汽车标准否

Datasheet - PSMN1R2-55SLHAX

COO (Country of Origin):: MY

Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 NextPowerS3 产品组合，采用恩智浦独特的 SchottkyPlus 技术，具有与集成肖特基二极管或肖特基类二极管的 MOSFET 相似的高效率、低尖峰性能，但不会产生高漏电流问题。NextPowerS3 尤其适用于高开关频率下的高效应用。

雪崩等级和 100% 测试

通过软体二极管恢复实现超快开关，降低尖峰和振铃

窄 VGS（th）额定值，便于并联和改进电流共享

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