ROHM , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 12 A, TO-263, 表面安装, 8引脚, HP8系列, HT8KB5TB1

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包装方式:
RS 库存编号:
264-763
制造商零件编号:
HT8KB5TB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263

系列

HP8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

47mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

13W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

ROHM 40V 12A 双 Nch+Pch 是一种低导通电阻 MOSFET,非常适合开关应用。

大功率小型模具封装(HSMT8)

无铅电镀,符合 RoHS 规范

无卤素