制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=12 A, 8针, TO-263, HP8系列

RS 库存编号:: 264-763
制造商零件编号:: HT8KB5TB1
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=12 A, 8针, TO-263, HP8系列

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RS 库存编号:: 264-763
制造商零件编号:: HT8KB5TB1
制造商:: ROHM

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	12A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	HP8
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	47mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	13W
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 12A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 HP8
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 47mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 13W
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

Datasheet - HT8KB5TB1

ROHM 40V 12A 双 Nch+Pch 是一种低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。

大功率小型模具封装（HSMT8）

无铅电镀，符合 RoHS 规范

无卤素

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