ROHM N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=100 V, 59 A, TO-252, 表面安装, 8引脚, RD3P06BBKHRBTL, RD3P06BBKH系列

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RS 库存编号:
264-943P
制造商零件编号:
RD3P06BBKHRBTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

59A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

RD3P06BBKH

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

15.8mΩ

通道模式

消耗

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

76W

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17.3nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS, AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

ROHM MOSFET 专为要求高效率和高可靠性的强大应用而设计。该器件的分断电压高达 100V,连续漏极电流为 59A,专为汽车和工业环境中的苛刻任务而设计。它采用紧凑型 DPAK/TO-252 封装,便于集成到各种电路设计中。

适用于各种应用,包括汽车和工业电子产品

高达 118A 的脉冲漏极电流能力凸显了在苛刻环境中的多功能性

采用无钯电镀,确保与现代生产工艺兼容