ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 10 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, R60系列

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包装方式:
RS 库存编号:
265-284P
制造商零件编号:
R6010YND3TL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-252

系列

R60

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

390mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最大功耗 Pd

92W

最大栅源电压 Vgs

±30 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关功能,是各种开关应用的理想之选。其低导通电阻可最大限度地减少功率损耗,从而提高效率,而快速开关速度则可在动态环境中实现快速响应。这些特性的结合确保了在电源管理和电机控制等要求苛刻的应用中实现可靠的性能。

驱动电路可以很简单

无铅电镀

符合 RoHS 标准

无卤素