ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=40 A, 3针, TO-252, RD3系列

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包装方式:
RS 库存编号:
265-417
制造商零件编号:
RD3L04BBKHRBTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

RD3

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

13.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

53W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS, AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

ROHM 汽车级 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证,是高级驾驶员辅助系统、信息娱乐系统、照明和车身应用的绝佳选择。其坚固的设计可确保在关键的汽车环境中发挥可靠的性能。

无铅电镀

符合 RoHS 标准

100% 通过雪崩测试

低导通电阻

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