ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 40 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3L04BBKHRBTL, RD3系列
- RS 库存编号:
- 265-417
- 制造商零件编号:
- RD3L04BBKHRBTL
- 制造商:
- ROHM
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 265-417
- 制造商零件编号:
- RD3L04BBKHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | RD3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 53W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 RD3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 53W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM 汽车级 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证，是高级驾驶员辅助系统、信息娱乐系统、照明和车身应用的绝佳选择。其坚固的设计可确保在关键的汽车环境中发挥可靠的性能。
无铅电镀
符合 RoHS 标准
100% 通过雪崩测试
低导通电阻
相关链接
- ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3P04BBKHRBTL, RD3系列
- ROHM N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=100 V, 59 A, TO-252, 表面安装, 8引脚, RD3P06BBKHRBTL, RD3P06BBKH系列
- ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3L04BBJHRBTL, RD3L04BBJHRB系列
- ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3L04BBLHRBTL, RD3系列
- ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3G04BBJHRBTL, RD3G04BBJHRB系列
- ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3L03BBJHRBTL, RD3系列
- ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 80 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3G08BBJHRBTL, RD3系列
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 80 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3G08CBKHRBTL, RD3系列