Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 171 A, PG-WSON-8, 表面安装, 8引脚, BSC023N08NS5SCATMA1, OptiMOS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
284-638P
制造商零件编号:
BSC023N08NS5SCATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

171A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PG-WSON-8

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

188W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

英飞凌 OptiMOS 功率 MOSFET 专为要求高效率和高性能的苛刻应用而设计。这款晶体管采用创新的 PG WSON 8 封装,具有出色的热管理性能,可确保在运行期间实现最佳散热效果。此外,它的双侧冷却能力大大提高了散热性能,而且工作温度范围更广,可在各种环境中发挥更大的作用。该器件注重可靠性,经过严格测试,确保符合工业应用中预期的严格质量标准,是工程师在管理热限制的同时提高系统性能的可靠选择。

效率高,最大限度地减少能量损失

双侧冷却加强了热管理

设计紧凑,节省集成空间

符合高可靠性标准

适用于各种工业应用