制造商编号

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 171 A, PG-WSON-8, 表面安装, 8引脚, BSC023N08NS5SCATMA1, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 284-638P
制造商零件编号:: BSC023N08NS5SCATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 171 A, PG-WSON-8, 表面安装, 8引脚, BSC023N08NS5SCATMA1, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 284-638P
制造商零件编号:: BSC023N08NS5SCATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	171A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	OptiMOS
	包装类型	PG-WSON-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	188W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS Compliant
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 171A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 OptiMOS
	包装类型 PG-WSON-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 188W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS Compliant
	汽车标准否

Datasheet - BSC023N08NS5SCATMA1

英飞凌 OptiMOS 功率 MOSFET 专为要求高效率和高性能的苛刻应用而设计。这款晶体管采用创新的 PG WSON 8 封装，具有出色的热管理性能，可确保在运行期间实现最佳散热效果。此外，它的双侧冷却能力大大提高了散热性能，而且工作温度范围更广，可在各种环境中发挥更大的作用。该器件注重可靠性，经过严格测试，确保符合工业应用中预期的严格质量标准，是工程师在管理热限制的同时提高系统性能的可靠选择。

效率高，最大限度地减少能量损失

双侧冷却加强了热管理

设计紧凑，节省集成空间

符合高可靠性标准

适用于各种工业应用

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 171 A, PG-WSON-8, 表面安装, 8引脚, BSC023N08NS5SCATMA1, OptiMOS系列

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