Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 56 A, PG-WSON-8, 表面安装, 8引脚, BSC160N15NS5SCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-651P
- 制造商零件编号:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 56A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-WSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 16mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 115W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 56A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-WSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 16mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 115W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS 功率 MOSFET 专为在高频开关应用中提供卓越性能而设计。它的额定电压为 150V，是工业和汽车电子产品的可靠解决方案。双侧冷却的 PG WSON 8 封装可确保热阻最小，即使在重负载条件下也能高效散热。这款 MOSFET 专为 N 沟道工作而设计，在同步整流方面表现出色，是效率和可靠性要求极高的电源管理任务的理想之选。制造商可以信赖这种元件，它能满足严格的要求，在苛刻的环境中提供有效而稳定的性能。
针对高频运行进行了优化
双侧冷却降低了热阻
无铅电镀，符合 RoHS 规范
出色的栅极电荷性能提高了效率
同步整流应用的理想选择
可在高温下运行而不会降低效率
符合 JEDEC 行业标准