Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 89 A, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, 通孔安装, 4引脚, IMYH200R024M1HXKSA1, CoolSiC 2000 V SiC

RS 库存编号:: 284-864P
制造商零件编号:: IMYH200R024M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 89 A, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, 通孔安装, 4引脚, IMYH200R024M1HXKSA1, CoolSiC 2000 V SiC

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制造商零件编号:: IMYH200R024M1HXKSA1
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	89A
	最大漏源电压 Vd	2000V
	包装类型	PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	系列	CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	35mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	137nC
	最大功耗 Pd	576W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 89A
	最大漏源电压 Vd 2000V
	包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	系列 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 35mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 137nC
	最大功耗 Pd 576W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMYH200R024M1HXKSA1

COO (Country of Origin):: MY

英飞凌 CoolSiC 2000 V SiC 沟槽 MOSFET 是专为高性能应用而设计的尖端解决方案。它采用先进的 .XT 互联技术，可确保最佳的热管理和效率，是苛刻环境的理想选择。凭借坚固的体二极管，这款 MOSFET 可在困难的换向条件下发挥出色的性能，为包括组串逆变器和电动汽车充电系统在内的各种应用提供可靠的运行。其令人印象深刻的规格（包括高达 89 A 的连续漏极电流）凸显了其处理大功率负载的能力，而低开关损耗则有助于提高整体系统效率。该设备经过严格的工业应用验证，确保符合行业标准和可靠性。

工作电压高达 2000 V

极低的状态电阻，提高效率

性能基准栅极阈值电压

采用精心设计的体二极管，运行稳健

通过 JEDEC 测试验证可用于工业用途

通过设计支持最佳散热性能

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 89 A, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, 通孔安装, 4引脚, IMYH200R024M1HXKSA1, CoolSiC 2000 V SiC

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