制造商编号

Infineon , 1 N型沟道增强型 MOSFET, Vds=120 V, PG-TDSON-8 FL, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 6 Power Transistor系列, ISC037N12NM6ATMA1

RS 库存编号:: 285-044
制造商零件编号:: ISC037N12NM6ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon , 1 N型沟道增强型 MOSFET, Vds=120 V, PG-TDSON-8 FL, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 6 Power Transistor系列, ISC037N12NM6ATMA1

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RS 库存编号:: 285-044
制造商零件编号:: ISC037N12NM6ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大漏源电压 Vd	120V
	包装类型	PG-TDSON-8 FL
	系列	OptiMOS 6 Power Transistor
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	标准/认证	No
	每片芯片元件数目	1
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大漏源电压 Vd 120V
	包装类型 PG-TDSON-8 FL
	系列 OptiMOS 6 Power Transistor
	安装类型表面
	引脚数目 8
	通道模式增强
	标准/认证 No
	每片芯片元件数目 1
	汽车标准否

Datasheet - ISC037N12NM6ATMA1

英飞凌 MOSFET 是一款高性能 N 沟道功率晶体管，可为各种应用提供卓越的效率和可靠性。该元件具有创新的热特性，在温度高达 175°C 的苛刻环境中表现出色。它采用最先进的 OptiMOS 技术，可确保最小的能量损耗和更强的开关能力，是高频应用的理想之选。无论是在工业环境中部署还是在同步整流中使用，该设备都符合严格的 RoHS 规范，确保其符合现代环保标准。

针对高频开关进行了优化

无铅电镀符合标准

MSL 1 级可靠性分类

低反向恢复电荷提高了效率

高雪崩能量防护等级

出色的栅极电荷降低了驱动损耗

Infineon , 1 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, PG-TDSON-8 FL, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 6 Power Transistor系列, ISC037N12NM6ATMA1

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