Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=656 A, 12针, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6系列

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RS 库存编号:
348-840
制造商零件编号:
IQFH36N04NM6ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

656A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PG-TSON-12

系列

OptiMOS-TM6

安装类型

表面

引脚数目

12

最大漏源电阻 Rd

0.36mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

300W

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
AT
Infineon 40V 标准电平功率 MOSFET 采用我们最新的创新型紧凑夹式 PQFN 8x6mm2 封装，可实现非常高的电流和功率水平。这款零件可提供当前业界卓越的 0.36mΩ RDS(on)，并具有卓越的热性能。

最小化传导损耗

快速切换

减少了电压过冲

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