Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 656 A, PG-TSON-12, 表面安装, 12引脚, IQFH36N04NM6ATMA1, OptiMOS-TM6系列
- RS 库存编号:
- 348-840
- 制造商零件编号:
- IQFH36N04NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 348-840
- 制造商零件编号:
- IQFH36N04NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 656A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PG-TSON-12 | |
| 系列 | OptiMOS-TM6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.36mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 656A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PG-TSON-12 | ||
系列 OptiMOS-TM6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 12 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.36mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 40V 标准电平功率 MOSFET 采用我们最新的创新型紧凑夹式 PQFN 8x6mm2 封装，可实现非常高的电流和功率水平。这款零件可提供当前业界卓越的 0.36mΩ RDS(on)，并具有卓越的热性能。
最小化传导损耗
快速切换
减少了电压过冲