Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 72 A, PG-TSDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISZ056N03LF2SATMA1, ISZ系列
- RS 库存编号:
- 348-900
- 制造商零件编号:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
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| 200 - 480 | RMB3.66 | RMB73.20 |
| 500 - 980 | RMB3.391 | RMB67.82 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 348-900
- 制造商零件编号:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 72A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | ISZ | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 72A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 ISZ | ||
包装类型 PG-TSDSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon StrongIRFET 2 功率 MOSFET 30V 采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装。Infineon 的 StrongIRFET 2 功率 MOSFET 30V 技术采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装，具有杰出的 5.6mOhm RDS(on)。这款产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。
通用产品
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高制造和供应标准