Starpower 单开关沟道 N型 无二极管的 SiC MOSFET, Vds=1200 V, 118 A, 带装和卷装, 通孔安装, 4引脚, DM170S12TDRB, DOSEMI系列
- RS 库存编号:
- 427-760
- 制造商零件编号:
- DM170S12TDRB
- 制造商:
- Starpower
N
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥160.13
(不含税)
¥180.95
(含税)
有库存
- 27 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB160.13 |
| 10 - 99 | RMB144.08 |
| 100 + | RMB132.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 427-760
- 制造商零件编号:
- DM170S12TDRB
- 制造商:
- Starpower
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Starpower | |
| 槽架类型 | 单开关 | |
| 产品类型 | 无二极管的 SiC MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 118A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | 带装和卷装 | |
| 系列 | DOSEMI | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 29.0mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大功耗 Pd | 355W | |
| 正向电压 Vf | 3.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 19 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Starpower | ||
槽架类型 单开关 | ||
产品类型 无二极管的 SiC MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 118A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 带装和卷装 | ||
系列 DOSEMI | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 29.0mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大功耗 Pd 355W | ||
正向电压 Vf 3.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 19 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Starpower MOSFET 功率分离提供超低导电损耗以及低切换损耗。它们专为混合动力和电动汽车等应用而设计。
SiC 功率 MOSFET
低导通电阻 RDS(on)
芯片焊接技术
低电感外壳可防止振荡
rohs