onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 12 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, NTD3055L104T4G, NTD3055L104系列
- RS 库存编号:
- 463-325
- 制造商零件编号:
- NTD3055L104T4G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥113.10
(不含税)
¥127.80
(含税)
有库存
- 200 件将从其他地点发货
- 另外 2,000 件在 2025年12月29日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB5.655 | RMB113.10 |
| 100 - 380 | RMB5.556 | RMB111.12 |
| 400 - 980 | RMB5.418 | RMB108.36 |
| 1000 + | RMB5.282 | RMB105.64 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 463-325
- 制造商零件编号:
- NTD3055L104T4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | NTD3055L104 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 104mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 V | |
| 最大功耗 Pd | 48W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 NTD3055L104 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 104mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.4nC | ||
最大栅源电压 Vgs 15 V | ||
最大功耗 Pd 48W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.38mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||