onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=12 A, 3针, TO-252, NTD3055L104系列

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RS 库存编号:
100-8063
制造商零件编号:
NTD3055L104T4G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

系列

NTD3055L104

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

104mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-15V, +15V

最大功耗 Pd

48W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.4nC

最高工作温度

175°C

宽度

6.22mm

标准/认证

No

长度

6.73mm

高度

2.38mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CZ

N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor


MOSFET 晶体管，ON Semiconductor


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