Toshiba P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 18 A, SOP, 表面安装, 8引脚, TPC8117(TE12L,Q)
- RS 库存编号:
- 582-470
- 制造商零件编号:
- TPC8117(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 582-470
- 制造商零件编号:
- TPC8117(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 130nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.9W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 130nC | ||
最大功耗 Pd 1.9W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET P 通道，TPC 系列，Toshiba
MOSFET 晶体管，Toshiba
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