Toshiba P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=18 A, 8针, SOP

N
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RS 库存编号:
582-470
制造商零件编号:
TPC8117(TE12L,Q)
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.9W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

130nC

最高工作温度

150°C

高度

1.5mm

长度

6mm

宽度

4.9mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
JP

MOSFET P 通道，TPC 系列，Toshiba


MOSFET 晶体管，Toshiba


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