Toshiba , 2 N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 5.1 A, SOP, 表面安装, 8引脚, TPC系列, TPC8227-H,LQ(S

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RS 库存编号:
796-5128
制造商零件编号:
TPC8227-H,LQ(S
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.1A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TPC

包装类型

SOP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

正向电压 Vf

-1.2V

最大功耗 Pd

1.5W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

高度

1.52mm

长度

4.9mm

宽度

3.9 mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

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双 MOSFET N 沟道,TPC 系列,Toshiba


MOSFET 晶体管,Toshiba