onsemi N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, 178 A, WDFN8, 表面安装, 8引脚, NTTFS1D4N04XMTAG, NTT系列
- RS 库存编号:
- 648-510
- 制造商零件编号:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- 制造商:
- onsemi
N
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB10.608 | RMB53.04 |
| 50 - 245 | RMB6.578 | RMB32.89 |
| 250 - 495 | RMB3.81 | RMB19.05 |
| 500 + | RMB3.71 | RMB18.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 648-510
- 制造商零件编号:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 178A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | WDFN8 | |
| 系列 | NTT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.43mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35.4nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 178A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 WDFN8 | ||
系列 NTT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.43mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35.4nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 3.3 mm | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor 最新 40V 标准门级功率 MOSFET 技术,具有同类最佳的电动机驱动器应用电阻。更低的导通电阻和更少的栅极电荷可降低传导损耗和驱动损耗。良好的软性控制,用于主体二极管反向恢复,可减少电压峰值应力,而不会在应用中产生额外的咬合电路。
低导通电阻 RDS(on)
低电容
小尺寸