onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 29 A, WDFN, 表面安装, 8引脚, NTTFS4C02N系列
- RS 库存编号:
- 171-8365
- 制造商零件编号:
- NTTFS4C02NTAG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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| 3000 - 4500 | RMB2.578 | RMB3,867.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-8365
- 制造商零件编号:
- NTTFS4C02NTAG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 29A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 系列 | NTTFS4C02N | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 4.2W | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.15 mm | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 29A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 WDFN | ||
系列 NTTFS4C02N | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 4.2W | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.15 mm | ||
长度 3.15mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.75mm | ||
汽车标准 否 | ||
功率 MOSFET 30 V 170 A 2.25 mΩ 单相 N 通道 μ8FL
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低电容可最大限度地减少驱动器损耗
经过优化的栅极电荷，可最大限度地减少切换损耗
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
直流-直流转换器
电源负载开关
笔记本电脑电池管理