Microchip N型沟道 消耗型 单 MOSFET, Vds=350 V, 72 mA, SOT-89, 表面安装, 3引脚, DN3135N8-G, DN3135系列
- RS 库存编号:
- 649-459
- 制造商零件编号:
- DN3135N8-G
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB6.578 | RMB32.89 |
| 50 - 245 | RMB5.796 | RMB28.98 |
| 250 - 495 | RMB5.194 | RMB25.97 |
| 500 + | RMB4.112 | RMB20.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 649-459
- 制造商零件编号:
- DN3135N8-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 72mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 350V | |
| 包装类型 | SOT-89 | |
| 系列 | DN3135 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 35Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.3W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.3 mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 标准/认证 | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 72mA | ||
最大漏源电压 Vd 350V | ||
包装类型 SOT-89 | ||
系列 DN3135 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 35Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 1.3W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.3 mm | ||
长度 2.9mm | ||
高度 1.12mm | ||
标准/认证 Lead (Pb)-free/RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 低阈值耗尽型（常开）晶体管采用先进的垂直 DMOS 结构和经过充分验证的硅栅制造工艺。这种组合产生的器件既具有双极型晶体管的功率处理能力，又具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有 MOS 结构的特点，不会出现热失控和热引起的二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的各种开关和放大应用。
高输入阻抗
低输入电容
快速切换速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏