Vishay P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, 24 A, PowerPAK, 表面安装, 4引脚, SQJ443AEP-T1_GE3, SQJ443系列

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Vishay P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, 24 A, PowerPAK, 表面安装, 4引脚, SQJ443系列
RS 库存编号
653-065

1 带 1 套

RMB4.50

(不含税)

RMB5.08

(含税)

RS 库存编号:
653-063
制造商零件编号:
SQJ443AEP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

-40V

系列

SQJ443

包装类型

PowerPAK

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.025Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

最大功耗 Pd

27W

最高工作温度

175°C

标准/认证

AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 汽车级 P 通道 MOSFET 设计用于在功率敏感环境中进行高效切换。它支持高达 40 V 的排水源电压,在高达 175 °C 的接线温度下可靠工作。它采用 TrenchFET 技术构建,采用紧凑型 PowerPAK SO-8L 封装,可优化热性和电气性能。

符合 AEC Q101 标准

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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