制造商编号

Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=40 V, Id=94 A, 8针, PowerPAK, SQS146系列

RS 库存编号:: 653-076
制造商零件编号:: SQS146ELNW-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=40 V, Id=94 A, 8针, PowerPAK, SQS146系列

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RS 库存编号:: 653-076
制造商零件编号:: SQS146ELNW-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	单 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	94A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	PowerPAK
	系列	SQS146
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0052Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.1V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	91W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	26nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	AEC-Q101
	长度	3.3mm
	宽度	3.3mm
	高度	0.75mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型单 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 94A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 PowerPAK
	系列 SQS146
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0052Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.1V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 91W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 AEC-Q101
	长度 3.3mm
	宽度 3.3mm
	高度 0.75mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQS146ELNW-T1_GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay 汽车级 N 通道 MOSFET 设计用于紧凑型电源系统中的高效切换。它支持高达 40 V 的排水源电压,在高达 175 °C 的接线温度下可靠工作。采用 PowerPAK 1212-8SLW 封装,它具有 TrenchFET Gen IV 技术,提供卓越的热性能和电气性能。

符合 AEC Q101 标准

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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