Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=40 V, Id=413 A, 4针, PowerPAK, SQJQ140ER系列

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RS 库存编号:
653-125
制造商零件编号:
SQJQ140ER-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

413A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

SQJQ140ER

包装类型

PowerPAK

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.00065Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

214W

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

288nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

宽度

8mm

标准/认证

AEC-Q101

高度

1.6mm

长度

10.42mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 汽车级 N 通道 MOSFET 设计用于紧凑型、功率密集系统中的高效切换。它支持高达 40 V 的排水源电压,并在 175 °C 时提供出色的电流处理,高达 413 A。它采用薄型 PowerPAK 8x8LR 封装,利用 TrenchFET Gen IV 技术实现超低 RDS(on) 和卓越的热性能。

符合 AEC Q101 标准

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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