Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=40 V, Id=62.8 A, 8针, PowerPAK, SIS4406DN系列

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RS 库存编号:
653-146
制造商零件编号:
SIS4406DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

62.8A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PowerPAK

系列

SIS4406DN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00475Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23.7nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

33.7W

最高工作温度

150°C

宽度

3.3mm

标准/认证

No

长度

3.3mm

高度

0.41mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 通道 MOSFET 设计用于紧凑型电源系统中的高效切换。它支持高达 40 V 排水源电压。采用 PowerPAK 1212-8 封装,它使用 TrenchFET Gen IV 技术提供低门充电 (Qg)、减少输出充电 (Qoss) 和优化的切换性能。

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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