Vishay Siliconix N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 14.2 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiS110DN系列
- RS 库存编号:
- 178-3693
- 制造商零件编号:
- SiS110DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 178-3693
- 制造商零件编号:
- SiS110DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 14.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | SiS110DN | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 24W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 宽度 | 3.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 14.2A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 SiS110DN | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 24W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.15mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.07mm | ||
宽度 3.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Siliconix SiS110DN 系列 MOSFET,100 V 漏源电压,14.2 A 连续漏电流 - SiS110DN-T1-GE3
这款 n 通道 MOSFET 是表面贴装开关晶体管,专为工业系统中的功率转换和控制应用而设计。它作为增强模式设备运行,能够处理中等至高电压和电流,在紧凑型表面贴装组件中提供高效开关。
特性和优点：
• 100 V 漏源额定值可实现高电压开关应用 • 14.2 A 连续漏电流支持大负载电流 • 70 mΩ Rds(on),可最大程度地减少运行过程中的导电损耗 • 8.5nC 栅极电荷可降低开关能量和驱动要求 • 24W 功耗可在狭窄布局中管理热负载 • 150°C 最高接点温度可实现高运行条件
应用
• 适用于自动化设备中的直流-直流转换器开关级 • 适用于工厂系统中的电机驱动半桥电路 • 用于工业控制装置的电源管理 • 可用于配电模块中的负载切换
组装时需要哪种安装方式?
它采用紧凑型PowerPAK 1212表面贴装封装,专为焊接PCB组件和薄型电路板布局而设计。
它在服务过程中能承受多大的温度范围?
它的额定工作温度范围为-55°C(环境温度)至150°C(最大接点温度),可在热变化较大的环境中使用。
设计人员应遵守哪些栅极电压限制?
该设备允许高达 20V 的栅极源电压
设计应确保栅极驱动器保持在此限制范围内,以保护栅极氧化物。
该封装提供多少引脚用于电路集成?
该封装包含八个引脚,可容纳排放、源和栅极连接,并有助于在 PCB 上进行热路和电气路由。
此部件是否专为汽车用途?
它不指定符合汽车标准,不应在需要强制性的汽车级认证的情况下选择。