STMicroelectronics N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 55 A, H2PAK-7, 通孔安装, 7引脚, SCT018H65G3-7, Sct系列
- RS 库存编号:
- 719-465
- 制造商零件编号:
- SCT018H65G3-7
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | H2PAK-7 | |
| 系列 | Sct | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 385W | |
| 正向电压 Vf | 2.6V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.25mm | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 H2PAK-7 | ||
系列 Sct | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 79.4nC | ||
最大功耗 Pd 385W | ||
正向电压 Vf 2.6V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.25mm | ||
高度 4.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 器件采用 ST 的先进、创新第 3 代 SiC MOSFET 技术开发。此器件在整个温度范围内具有非常低的 RDS(on)，而且电容小且开关速度超快，可在频率、能效、系统尺寸和减重方面实现更高的应用性能。
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
整个温度范围内的 RDS(on) 都非常低
高速开关性能
源传感插针，效率更高