DiodesZetex N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMG3406L-13, DMG3406L系列

N

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RS 库存编号:
719-487
制造商零件编号:
DMG3406L-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.6A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOT-23

系列

DMG3406L

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

70mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-50°C

最大功耗 Pd

1.4W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11.2nC

最高工作温度

150°C

高度

1.1mm

长度

3mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex N 通道增强型 MOSFET 专为高效电源管理应用而设计。该元件经过精心设计,可最大限度地降低导通电阻,同时提供卓越的开关性能,是电池充电、DC-DC 转换器和便携式电源适配器的理想选择。其坚固的机械设计,加上无铅且符合 RoHS 标准的结构,凸显了对环境可持续性和在广泛应用领域的可靠性承诺。该 MOSFET 能够处理较大的电流负载,是需要可靠电源管理的现代电子系统的重要组件。

低电阻可提高电源管理效率

高开关速度可提升动态应用中的性能

低输入电容可降低系统功率需求

设计最大漏源电压为 30V,确保其多功能性。

符合 RoHS 标准,支持环保型设备制造

完全无铅施工,符合环保标准

在 25°C 下可实现 3.6A 的高连续排放电流,从而最大限度地提高应用性能。

湿度敏感等级 1 可确保在各种环境下的稳健可靠性