STMicroelectronics N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=80 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP100N8F6, STP系列

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719-658
制造商零件编号:
STP100N8F6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N沟道

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TO-220

系列

STP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.009Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

176W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

100nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

15.75mm

高度

4.6mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F6 技术开发，采用新型沟槽栅结构。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中均具有非常低的 RDS(on)。

导通电阻非常低

栅极电荷非常低

抗雪崩强度高

栅极驱动功率损耗低

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