STMicroelectronics N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=80 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP100N8F6, STP系列
- RS 库存编号:
- 719-658
- 制造商零件编号:
- STP100N8F6
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-658
- 制造商零件编号:
- STP100N8F6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | STP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.009Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 176W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 100nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 STP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.009Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 176W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 100nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.75mm | ||
高度 4.6mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F6 技术开发，采用新型沟槽栅结构。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中均具有非常低的 RDS(on)。
导通电阻非常低
栅极电荷非常低
抗雪崩强度高
栅极驱动功率损耗低